刻蚀

硅深刻蚀系统

2026-10-12    点击:

设备名称: 硅深刻蚀系统

设备型号: OMEGA LPX RAPIER

厂 家:SPTS

设备编号:16041492

设备分类:刻蚀

设备功能简介:

基于博世工艺的深硅刻蚀系统,具有高深宽比、高垂直度特点,刻蚀深度可达百微米至毫米级别;

设备性能指标:

1.支持晶圆尺寸:8英寸及以下

2.深宽比:40:1

3.硅刻蚀速率为5-20μm/min

4.掩膜材料选择比>100:1

5.均匀性≤2%

6.硅刻蚀角度90°±5°

设备位置:

微纳加工中心主超净间 自强科技楼5101实验室

设备预约方法:

通过清华大学大型仪器共享服务平台在线预约使用

工程师联系方式:

仲涛:18811639598,zhtao@tsinghua.edu.cn