清华大学微纳加工中心代加工服务申请表
一、基本信息 |
申请人姓名 |
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联系电话 |
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所属单位/院系 |
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电子邮箱 |
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用户类别 |
□ 校内用户 □ 校外用户 |
申请日期 |
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经费来源 |
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二、样品信息 |
样品名称 |
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样品数量 |
______片(不超过5片) |
样品规格 |
□ 8英寸□ 4英寸 □ 其他:_____ |
样品来源 |
□ 用户自备 □ 中心裸片 |
样品材料 |
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特殊要求 |
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样品详细描述(器件功能、已有膜层结构、表面状态、特殊注意事项等),可插入示意图: |
三、工艺需求 |
1. 工艺类型(可多选): ✓ 基础图形化类:□紫外光刻、□电子束光刻、□激光直写制版及光刻 ✓ 薄膜沉积类:□磁控溅射、□电子束蒸发、□PECVD、□低压CVD、□ALD ✓ 干法刻蚀类:□金属刻蚀、□介质刻蚀、□深硅刻蚀、□牺牲层释放 ✓ 湿法刻蚀类:□湿法刻蚀、□剥离工艺 ✓ 封装后处理类:□划片、□减薄、□键合 ✓ 其他工艺:□离子注入、□化学机械抛光、□_________________________________ ✓ 测试表征:□形貌表征、□结构表征、□能谱表征、□其他 |
2. 光刻工艺次数: □ 0次 □ 1次 □ 2次(短流程光刻总次数不超过2次) |
3. 工艺流程描述(请按加工顺序详细描述各步工艺要求,可插入示意图、技术资料、流程卡等): |
4. 关键材料及工艺参数要求: |
5. 测试表征需求(如需要,请说明测试项目及要求): |
四、技术资料清单 |
请随本表提交以下技术资料(在对应项前打"√"): □ 器件介绍资料 □ 版图文件(GDS、CIF等格式) □ 工艺规范书/工艺流程卡 □ 测试方案或验收标准 □ 其他:______________________________________________ |
五、声明与承诺 |
1. 本人确认所委托的短流程代加工服务符合中心服务范围要求:光刻工艺总次数不超过2次,单批样品数量不超过5片(8英寸及以下),无特殊设备及工艺安全风险,不涉及工艺研发、中试放大及定制化工艺开发。 2. 本人承诺所提供的技术资料合法合规,所委托加工内容不涉及知识产权纠纷,样品及加工成果的相关知识产权归属清晰。 3. 本人理解并同意:如在加工过程中需变更工艺参数或样品数量等需求,将提交书面《需求变更申请》,经双方确认后执行;因设备故障等不可预期因素导致的服务变更,双方将协商解决。 4. 本人同意按照中心各设备收费标准支付机时费,并配合完成合同签订(校外用户)及财务结算流程。 申请人: 日期 |
六、签字确认 |
中心接洽人 |
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日期 |
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代工负责人 |
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日期 |
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中心主任/副主任审批 |
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日期 |
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备注:1. 本表一式两份,用户与中心各留存一份;2. 如有特殊需求,请提前与中心主任/副主任协商;3. 技术资料请发送至中心指定邮箱或提交至窦维治老师处。