设备名称：电感耦合等离子增强化学气相沉积系统

设备型号：SI 500 D

厂 家：SENTECH

设备编号：22044761

设备分类：薄膜

设备功能简介：

设备使用的平面三螺旋天线（PTSA）源是高端ICP工艺系统的专属特征，所生成的等离子体具有分布均匀、高离子密度、低离子能量的属性，能够在低温（80-130°C）、低压力（1-20Pa）下以低损伤方式沉积高质量钝化层（SiOₓ、SiNₓ、SiON）以及非晶硅（a-Si）薄膜。设备所沉积的薄膜具有低刻蚀率、高击穿电压、低应力以及低界面态密度的特性。设备结合氦气(He)背面冷却和基板背面温度感应的动态温控基板电极，可在低温下沉积出高质量的薄膜，不损伤基板，适用于多种基板材质。设备支持4-8英寸多种基板尺寸适配，可实现低应力SiNₓ沉积用于GaN HEMT钝化层，以及SiOₓ沉积用于沟槽填充，具备优异的均匀性和可重复性，适用于射频和功率器件、光子学器件等多方面的应用。

设备性能指标：

1.SiOₓ薄膜的沉积速率约为30nm/min;

2.SiNₓ薄膜的沉积速率约为20nm/min。

设备位置：

微纳加工中心主超净间 自强科技楼5101实验室

设备预约方法：

通过清华大学大型仪器共享服务平台在线预约使用

工程师联系方式：

谢蒂旎:13811422470,xiedini@tsinghua.edu.cn

韩英:18601218109,hanying@mail.tsinghua.edu.cn