设备名称：装入取出式等离子化学气相沉积设备

设备型号：CC-200Cz

厂 家：ULVAC

设备编号：22044759

设备分类：薄膜

设备功能简介：

紧凑易用型PECVD，设备采用13.56MHz高频等离子体源，可实现SiH₄系(SiOₓ、SiNₓ、SiON)薄膜沉积膜质、均匀性优异；搭载CF₄+O₂等离子体腔体清洁功能，保障工艺稳定性。设备支持4-8英寸多种基板尺寸适配，凭借高沉积效率、灵活适配及低污染特性，广泛应用于功率器件、LED/LD化合物半导体、太阳能电池等领域，为半导体工艺平台提供可靠的薄膜沉积解决方案。

设备性能指标：

1. 4-8英寸多种基板尺寸适配；

2.成膜温度约300°C；

3.氧化硅成膜速率≥100nm/min;

4.氮化硅成膜速率≥50nm/min。

设备位置：

微纳加工中心主超净间 自强科技楼5101实验室

设备预约方法：

通过清华大学大型仪器共享服务平台在线预约使用

工程师联系方式：

谢蒂旎:13811422470,xiedini@tsinghua.edu.cn

韩英:18601218109,hanying@mail.tsinghua.edu.cn