设备名称：8"氧化LPCVD系统

设备型号：HORIC L200

厂 家：北方华创微电子装备有限公司

设备编号：25027649

设备分类：薄膜

设备功能简介：

设备为LPCVD系统，可处理8、6、4英寸晶圆，所有炉体为3 温区，恒温区长度300mm。氧化炉体最高温度为1200度，工艺温度最高为1100度；所有炉体都是由内外部热电偶双控温模式以达到工艺温度更精准更稳定。

设备性能指标：

1.三个石英工艺炉管，包含：两个氧化炉管，一个LPCVD炉管（氮化硅）；

2.具有处理8”、6”和4”基片的氧化和LPCVD工艺能力；

3.氧化系统控温精度优于±0.5℃（800~1150℃）。

4.LPCVD系统控温精度优于±0.5℃（700~900℃）。

5.氧化工艺,片内均匀性≤±1.5%、片间均匀性≤±2%及批间均匀性≤±2%；

6.标准氮化硅，片内均匀性≤±3.0%、片间均匀性≤±4%及批间均匀性≤±3%（应力范围200MPa~1000MPa ）

7.低应力氮化硅：片内均匀性≤±3.5%、片间均匀性≤±4%、批间均匀性≤±3%（应力范围≤500MPa）

设备位置：

微纳加工中心主超净间 自强科技楼5101实验室

设备预约方法：

通过清华大学大型仪器共享服务平台在线预约使用

工程师联系方式：

曹秉军：13910803625,caobj@mail.tsinghua.edu.cn

包艳琳：13911813423,baoyl@mail.tsinghua.edu.cn

苏鑫：18511794134,sux@mail.tsinghua.edu.cn