设备名称： MA8光刻机(LED)

设备型号： MA/BA8 Gen4

厂 家：SUSS MicroTec Solutions GmbH&C

设备编号：25032843

设备分类：光刻

设备功能简介：

主要通过紫外曝光的方式，把掩膜版上的图形转移到晶圆上，实现微纳结构图形的转换。该设备还可扩展支持相应尺寸的晶圆键合对准工艺，再通过键合机完成晶圆键合工艺。

设备参数：

1.支持晶圆尺寸：8英寸及向下兼容10mm*10mm碎片

2.支持掩膜版尺寸：5*5、9*9英寸

3.最小分辨率：≤1.0μm（8英寸晶圆），≤0.8μm（4英寸晶圆）

4.对准精度：顶部≤±0.5μm；底部≤±1.0μm

5.曝光光源：LED曝光灯;波长350~450nm;功率450W

6.晶圆最大厚度：10mm

7.顶部显微镜行程：X轴不小于34~200mm,Y轴不小于±75mm

8.底部显微镜行程：X轴不小于78~180mm,Y轴不小于±12mm

9.物镜最小间距：29mm

10.接触模式：接近式、软接触、硬接触、真空接触

11.对准台移动范围：≥±5mm(X、Y)、≥±5.0°（θ）

12.键合对准精度：≤±2.0μm

设备位置：

微纳加工中心主超净间 自强科技楼5101实验室

设备预约方法：

通过清华大学大型仪器共享服务平台在线预约使用

工程师联系方式：

付玉霞：15210647296，fuyuxia@mail.tsinghua.edu.cn