设备名称：DFL7341 激光隐形切割机

设备型号：Disco DFL7341

厂 家：迪思科Disco

设备编号：待定

设备分类：封装加工

设备功能简介：

该设备可对最大尺寸不超过8英寸的硅晶圆进行激光隐形切割。其工作方式为将波长约1300nm左右的红外线激光聚焦在硅片内部以产生改质层，再借由扩展胶膜等方法将晶圆分成晶粒，以达到低损伤、高精度、高品质切割。具有特点以下：

1、仅在硅片内部形成改质层，抑制加工碎屑的产生。适用于对颗粒（particle）要求高的样品。

2、采用干式加工技术，无需清洗。适用于抗负荷能力差的加工对象。

3、切割槽宽度可以非常窄，从而有助于减小切割道。

设备性能指标：

1、该激光隐形切割系统包括以下主要部件：卡式升降机、传送装置、对准系统、加工系统、操作系统、状态指示器、激光引擎、冷水机组等部分；

2、工作盘精度： X轴直线精度≤0.002mm/210mm，Y轴直线精度≤0.003mm/210mm，Y轴步进精度≤0.002mm/5mm以内, Z轴定位精度≤0.001mm；X 轴切割速度1-1000毫米/秒 ；Y轴尺寸分辨率0.1 微米，移动速度200毫米/秒；Z轴尺寸分辨率0.1 微米，移动速度50毫米/秒； q轴可调范围380度；

3、仅支持纯硅晶圆的切割：硅片厚度: 0.1-0.7mm，Die晶粒尺寸：0.5mm以上；划片痕迹约为几个微米左右，晶圆表面及背面无崩边、无融化损伤等现象。

设备物理位置：

微纳加工中心111实验室

设备预约方法：

通过清华大学仪器共享服务平台预约使用。

工程师联系方式：

梁仁荣：18201232965，liangrr@tsinghua.edu.cn

备注：

1、 本机台只针对纯硅的晶圆样品切割，激光需要直接入射硅材料，也就是样品切割道区域的硅表面不能覆盖别的物质，包括二氧化硅、氮化硅、金属、金属氧化物等，以免造成物质升华覆盖镜头，以及改变激光束的入射角度、改质层的位置等。

2、 建议切割道的宽度至少为硅片厚度的40%左右，比如400微米厚的硅片，切割道的宽度至少需要160微米，依次类推。