设备名称：真空互联-原子层沉积系统
设备型号：R-200 Advanced
厂 家：Picosun Oy
设备编号：21029113
设备分类：薄膜，真空互联，前沿基础研究服务
设备功能简介：
将物质以单原子膜形式一层一层地生长在衬底上，可用于制备忆阻器的存储介质层、晶体管的HfO2和Al2O3栅氧薄膜。可加热前驱体管路多，配备吹扫气路。
设备性能指标：
1、样品最大尺寸：8英寸（兼容2英寸）；
2、样品不均匀性：优于1.0%；
3、载物台最高温度：500°C；
4、腔体最高温度：500°C；
5、前驱体最高加热温度：200°C；
6、带等离子增强功能，射频电源300 W；
7、气路：O2 plasma，Hf源，Al源，In源，Ga源，Zn源六路前驱体管路。
设备物理位置：
微纳加工中心南区108实验室
设备预约方法：
1、由项目组负责人填写并提交申请书，实验操作者提交实验申请表。
说明：真空互联设备使用申请书和实验申请表请在清华大学微纳加工中心-表格下载中下载，填写后交给主管工程师。
2、“送样测试”或“委托加工”的，请联系主管工程师。
3、进入实验室实操设备的：
3.1 按实验室开放管理规定，成为实验室用户。
3.2 联系主管工程师，进行设备培训，并通过相关考核。填写完成微纳加工中心设备培训与考核记录单。
3.3 在清华大学大型仪器共享服务平台输入仪器名称，点击“找仪器”进行搜索,找到对应的仪器后进行“上机预约”。
工程师联系方式：
高兆艳：13051135063，zygao@mail.tsinghua.edu.cn
