设备名称：THERMCO氧化LPCVD

设备型号：X2660

厂 家：THERMC SYSTEMS

设备编号：A18000069

设备分类：薄膜

设备功能简介：

1、 设备采用干氧氧化、湿氧和水汽氧化生长SiO₂薄膜；

2、 工艺温度700～1100℃；

3、 洁净等级：非MOS硅片；

4、 尺 寸：4和6英寸。

设备性能指标：

1、片内均匀性不高于±1.5%；

2、片间均匀性不高于±2%；

3、批间均匀性不高于±2%。

设备物理位置：

微纳加工中心主超净间104实验室

设备预约方法：

通过清华大学仪器共享服务平台在线预约使用。

工程师联系方式：

张忠会: 62784044-235，zzh-ime@tsinghua.edu.cn