薄膜

PICOSUN原子层沉积系统

2022-06-02    点击:

设备名称:PICOSUN原子层沉积系统

设备型号:R200 Advanced

厂 家:PICOSUN

设备编号:16041497

设备分类:薄膜

设备功能简介:

可通过原子层热沉积/等离子生长的方式进行Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、HZO等高k材料、阻变材料及原位电极材料的制备。

设备性能指标:

1、具有六路独立源输入管道:Hf、Zr、Ti、Al、Ta、H2O;

2、四路进气管道:Ar、N2、O2、NH3;

3、可加工8寸及8寸以下硅片样品;

4、4寸硅片生长重复性及厚度不均匀性不高于±2%;

5、氧化铝的介电常数高于8.0,击穿电场高于9MV/cm;

6、氧化铪的介电常数高于18.0,击穿电场高于3MV/cm;

7、最高温度 500℃。

设备物理位置:

微纳加工中心主超净间104实验室

设备预约方法:

通过清华大学仪器共享服务平台在线预约使用。

工程师联系方式:

曹秉军:62784044-220,caobj@tsinghua.edu.cn

备注

1、样品不能带有金、银、铜,或者进入加工过金、银、铜的设备腔体。

2、样品上不能有挥发性材料。

3、样品上不能有有机物。

4、样品需清洗干净才可以进入腔体。