设备名称:PICOSUN原子层沉积系统
设备型号:R200 Advanced
厂 家:PICOSUN
设备编号:16041497
设备分类:薄膜
设备功能简介:
可通过原子层热沉积/等离子生长的方式进行Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、HZO等高k材料、阻变材料及原位电极材料的制备。
设备性能指标:
1、具有六路独立源输入管道:Hf、Zr、Ti、Al、Ta、H2O;
2、四路进气管道:Ar、N2、O2、NH3;
3、可加工8寸及8寸以下硅片样品;
4、4寸硅片生长重复性及厚度不均匀性不高于±2%;
5、氧化铝的介电常数高于8.0,击穿电场高于9MV/cm;
6、氧化铪的介电常数高于18.0,击穿电场高于3MV/cm;
7、最高温度 500℃。
设备物理位置:
微纳加工中心主超净间104实验室
设备预约方法:
通过清华大学仪器共享服务平台在线预约使用。
工程师联系方式:
曹秉军:62784044-220,caobj@tsinghua.edu.cn
备注:
1、样品不能带有金、银、铜,或者进入加工过金、银、铜的设备腔体。
2、样品上不能有挥发性材料。
3、样品上不能有有机物。
4、样品需清洗干净才可以进入腔体。