设备名称：多靶位磁控溅射系统

设备型号：PVD 75

厂 家：Kurt J. Lesker Company

设备编号：21012328

设备分类：薄膜

设备功能简介：

可对多种材料进行溅射，与Lab18薄膜沉积系统靶材通用，目前主要有金属、氧化物和氮化物薄膜，包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al₂O₃、HfO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、NbO₂、IGZO、V₂O₅、TiN、W等

设备性能指标：

1、本底真空可达到10E^-8Torr量级；

2、基片温度可以控制在室温至800℃以内；

3、可实现6英寸及以下尺寸的硅片的溅射镀膜；

4、片内均匀性能够达到3%以下。

设备物理位置：

微纳加工中心主超净间104实验室

设备预约方法：

清华大学仪器共享服务平台网上预约。

工程师联系方式：

窦维治：62781090，douwz@tsinghua.edu.cn